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Si4646DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
0.05
0.04
I D = 10 A
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.03
T J = 125 °C
0.1
0.01
0.001
0.02
0.01
0.00
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
10 -1
10 -2
10 -3
10 -4
10 -5
10 -6
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
30 V
20 V
10 V
150
120
90
60
30
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - J u nction Temperat u re (°C)
Reverse Current (Schottky)
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
10
1 ms
1
10 ms
100 ms
1s
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS
10 s
DC
Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area
www.vishay.com
4
Document Number: 68762
S09-0868-Rev. B, 18-May-09
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